Der Geek-Atlas (German Edition)

sogar
     in den Schlafräumen der Mannschaft übernachten – vier Mal im Jahr und unter Beachtung vieler Sicherheitsvorkehrungen können
     bis zu vier Menschen nur ein paar Meter von der Rakete entfernt schlafen.
    Praktische Informationen
    Die Website des Titan Missile Museums enthält alle Besuchs- und Buchungs-informationen unter http://www.titanmissilemuseum.org/ .

Kapitel 84. 391 San Antonio Road, Mountain View, CA
    37° 24′ 17.68″ N, 122° 6′ 38.62″ W

    Shockley Semiconductor
    Man hört die Leute in dieser Gegend recht oft sagen, dass es keinen eigentlichen Ort mit dem Namen Silicon Valley gibt und
     das ist wahr – es handelt sich vielmehr um einen einzigen langen Industrievorort, der die Städte zwischen San Francisco und
     San Jose umfasst. Hier die einschlägigen Kultstätten zu finden, ist eine beachtliche Leistung.
    Da die Gründer von Hewlett-Packard frühe Wegbereiter des Silicon Valley waren, ist die Garage, in der das Unternehmen seinen
     Anfang nahm, ein guter Orientierungspunkt (siehe Kapitel 90 ). Apple hat seinen Namen von den Apfelplantagen in diesem Gebiet (die mittlerweile von nichtssagenden Gebäuden abgelöst wurden).
     Doch der Ort, auf den das »Silicon« in Silicon Valley zurückzuführen ist, liegt in der 391 San Antonio Road in Mountain View.
     Heute befindet sich in diesem Gebäude ein Lebensmittelgeschäft, das lokale Landwirtschaftserzeugnisse verkauft. Um die Bedeutung
     des Gebäudes für das Silicon Valley zu verstehen, müssen wir bis in die 1950er zurückblicken.
    1956 eröffneten William Shockley und eine Gruppe von Ingenieuren im Haus Nummer 391 das Shockley Semiconductor Laboratory.
     Shockley war Miterfinder des Transistors (mehr über Transistoren in Der Transistor und die NAND-Logik ) und gewann den Nobelpreis im gleichen Jahr, in dem er das Silicon Valley mit begründete. Das neue Unternehmen (eigentlich
     eine Ausgliederung eines größeren Unternehmens) plante die Entwicklung von Halbleitern aus Silizium anstelle des weiter verbreiteten
     Germaniums.
    ----
    Der erste Transistor
    Als die Erfinder des Transistors (Shockley, John Bardeen und Walter Brattain) versuchten, ihre Erfindung patentieren zu lassen,
     stießen sie auf ein Problem: In den 1920ern ließ sich der österreichisch-ungarische Physiker Julius Lilienfeld bereits einen
     Transistor patentieren. Lilienfeld hatte 1925 in einem US-Patent einen Feldeffekttransistor beschrieben, und einen weiteren
     im Jahr 1928. Shockley und sein Team konnten ihren Punktkontakttransistor erst 1947 realisieren.
    Der Punktkontakttransistor (entwickelt von Bardeen und Brattain) bestand aus einem Germanium-Block (einem Halbleitermaterial)
     auf dem ein V-förmiges Stück Kunststoff angebracht war. Am Kunststoff waren zwei Blätter Goldfolie befestigt, die das Germanium
     am V-Punkt berührten. Diese lagen sehr nah beieinander, waren elektrisch aber nicht miteinander verbunden (siehe Abbildung 84.1 ).
    Abbildung 84.1 Der erste Transistor; zur Verfügung gestellt von the Porticus Centre ( www.porticus.org )
    Das Germanium war auf einer Metallplatte platziert. Die Metallplatte und die Goldfolien bildeten drei Verbindungen mit dem
     Germanium. Mittels eines Stroms, der durch eine der Goldfolien und durch die Metallbasis floss, wurde der Fluss zwischen der
     Basis und der anderen Goldfolie gesteuert – der Transistor konnte sowohl als Schalter als auch als Verstärker genutzt werden.
    Die Funktionalität des Punktkontakttransistors lag darin begründet, dass beim Anlegen eines Stroms zwischen dem Goldkontakt
     und der Basis die Oberfläche des Germaniums zu einem P-dotierten Halbleiter wurde (d.h. es waren zu wenig Elektronen vorhanden,
     daher das P für »positiv«). Der Rest des Germaniums hingegen war ein natürlicher N-dotierter Halbleiter (mit einem Überschuss
     an Elektronen, daher das N für »negativ«). Ein zwischen zwei Kontakten angelegter Strom führte also zu einem PN-Übergang (ein
     Bereich, an dem P- und N-dotiertes Material aufeinandertreffen), durch den der zwischen dem zweiten Goldkontakt und der Basis
     fließende Strom gesteuert wurde.
    Shockley erfand danach den Bipolartransistor, der aus drei Halbleiterschichten besteht, die in Form zweier NP- oder PN-Übergänge
     (also NPN oder PNP, siehe Photovoltaik ) angeordnet sind. Dieser Transistor hat den Vorteil, dass zur Steuerung nur ein sehr geringer Strom notwendig ist, während
     der Punktkontakttransistor einen relativ starken Strom benötigt.
    In den